在镶嵌式系统限制，STM32F407微为止器单位（MCU）与SD NAND的长入提供了雄壮的存储惩处有蓄意。但是，连接电脱手化失效问题可能会导致系统踏实性和数据齐备性受损。咱们将STM32F407与SD NAND集成时可能遭遇的脱手化问题，并提供专科的惩处有蓄意。

STM32F407MCU搭配SD NAND型号MKDV4GCL-ABB有蓄意：

STM32搭配米客方德SD NAND

脱手化失效如下图：

黄色：miso

绿色：mosi

蓝色：clk

紫色：片选

从图中看问题：

1，MISO（主输入从输出）：MISO信号是SD卡的反应信号没出来。在脱手化经过中，SD卡在MISO线上发送特定的反应码。查验不到反应码。

2，片选信号（CS），片选信号应该在脱手化经过中正确地拉低。查验CS信号莫得在正确的时代点被拉低，以激活SD卡。

解问题递次:

1，在SD卡上电后，先向SD卡发送至少74个时钟周期，以完成SD卡的本人查验和脱手化，干预IDLE情景。CS和MOSI引脚必须保抓高电平

2，在发送CMD0呐喊（0x40）复位SD卡时，期货投资需要拉低CS信号

3，发送完CMD0呐喊后，恭候SD卡复返反应数据，然后恭候8个时钟周期再拉高CS信号

4，在后续的CMD8、CMD55和ACMD41呐喊中，每次发送呐喊前齐需要拉低CS信号，呐喊发送完成后恭候反应数据，然后恭候8个时钟周期再拉高CS信号.

5，CS信号应该在以下时代点拉低：

发送CMD0呐喊前。

发送CMD8呐喊前。

发送CMD55呐喊前。

发送ACMD41呐喊前。

发送CMD24写操作呐喊前。

发送CMD17读操作呐喊前

SD卡不成一直读写情景的条目下操作：

错开SD卡读写时代，MCU再作念复位，软件时序修改SD卡罢手读写完后，MCU再作念复位操作。

普通图如下：

STM32F407 MCU与SD NAND的长入适用于工业为止、智能监控、医疗诞生和智能家居等讹诈场景，为这些限制提供了高效、可靠的数据存储和处理能力。

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